[发明专利]AMOLED背板结构及其制作方法

摘要

本发明提供了一种AMOLED背板结构及其制作方法。在一个子像素内，TFT基板(TS)对应于像素定义层(7)开口(71)的区域设置凹凸结构(4)，所述凹凸结构(4)包括数个凸起部(41)、及设于每相邻两个凸起部(41)之间的凹陷部(42)；对应位于所述凹凸结构(4)上方的部分平坦层(5)的上表面及像素电极(6)具有与该凹凸结构(4)相应的曲面形状。该AMOLED背板结构能够在保证平坦层(5)光顺无突变拐点的前提下，使像素电极(6)呈曲面形状，增大有效显示面积，延长OLED寿命，降低制程难度，提升解析度。

主权项

1.一种AMOLED背板结构，其特征在于，具有多个呈阵列式排布的子像素；在一个子像素内，该AMOLED背板包括：TFT基板(TS)、设于所述TFT基板(TS)上的平坦层(5)、设于所述平坦层(5)上的像素电极(6)、设于所述像素电极(6)上的像素定义层(7)、及设于所述像素定义层(7)上的光阻间隙物(8)；/n所述TFT基板(TS)内设有开关TFT(T1)、驱动TFT(T2)、及电容(C)；/n所述像素定义层(7)具有一开口(71)，以暴露出部分像素电极(6)；/n所述TFT基板(TS)对应于像素定义层(7)开口(71)的区域设置凹凸结构(4)，所述凹凸结构(4)包括数个凸起部(41)、及设于每相邻两个凸起部(41)之间的凹陷部(42)，所述凸起部(41)与凹陷部(42)的高度相等；/n对应位于所述凹凸结构(4)上方的部分平坦层(5)的上表面及像素电极(6)具有与该凹凸结构(4)相应的曲面形状；/n所述凸起部(41)的横截面呈梯形，所述凹陷部(42)的横截面呈倒置的梯形；/n在一个子像素内，所述TFT基板(TS)具体包括基板(1)、间隔设于所述基板(1)上的第一、第二栅极(G1、G2)、设于所述第一、第二栅极(G1、G2)及基板(1)上的栅极绝缘层(3)、分别于第一、第二栅极(G1、G2)上方设于所述栅极绝缘层(3)上的第一、第二半导体层(A1、A2)、设于所述第一、二半导体层(A1、A2)及栅极绝缘层(3)上的蚀刻阻挡层(ESL)、设于所述蚀刻阻挡层(ESL)上并接触所述第一半导体层(A1)的第一源极(S1)、设于所述蚀刻阻挡层(ESL)上并接触所述第一半导体层(A1)及第二栅极(G2)的第一漏极(D1)、设于所述蚀刻阻挡层(ESL)上并接触所述第二半导体层(A2)的第二源极(S2)、设于所述蚀刻阻挡层(ESL)上并接触所述第二半导体层(A2)的第二漏极(D2)、及设于所述蚀刻阻挡层(ESL)、第一源、漏极(S1、D1)、与第二源、漏极(S2、D2)上的保护层(PV)；/n所述第一栅极(G1)、第一半导体层(A1)、第一源极(S1)、与第一漏极(D1)构成开关TFT(T1)，所述第二栅极(G2)、第二半导体层(A2)、第二源极(S2)、与第二漏极(D2)构成驱动TFT(T2)，所述第二栅极(G2)与第二源极(S2)同时构成电容(C)；所述像素电极(6)接触所述第二漏极(D2)；/n所述凹凸结构(4)形成于所述TFT基板(TS)的保护层(PV)。/n