[发明专利]晶片的加工方法有效
| 申请号： | 201510242376.8 | 申请日： | 2015-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN105097448B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 森数洋司;甲斐贤哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉;金玲<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶片的加工方法，能够以使得对单晶锭分割而形成的晶片上不会产生翘曲的方式进行加工。在对单晶锭进行分割而形成的晶片的加工方法中，实施去除残留于晶片外周的晶体畸变的晶体畸变去除工序。在晶体畸变去除工序中，从晶片的一个面侧沿着外周缘对相比于外周缘偏规定的量的内侧的位置处照射对晶片具有透过性的波长的激光束，在从晶片的一个面到另一个面上的范围内使细孔和密封该细孔的非晶质成长，形成环状的密封通道。然后，沿着密封通道施加外力，从而在密封通道的区域上使晶片破断，去除残留有晶体畸变的外周部。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的加工方法，该晶片是对单晶锭进行分割而形成的，该加工方法的特征在于，/n执行去除残留于晶片外周的晶体畸变的晶体畸变去除工序，/n在该晶体畸变去除工序中，将用于对激光光线进行会聚的聚光透镜的数值孔径设定为满足聚光透镜的数值孔径除以单结晶基板的折射率得到的值在0.05～0.2的范围内，从晶片的一个面侧在相比于外周缘偏规定的量的内侧的位置处沿着外周缘照射对晶片具有透过性的波长的激光光线，在从晶片的一个面到另一个面的范围内使细孔和密封该细孔的非晶质成长，形成环状的密封通道，沿着该密封通道施加外力，从而在该密封通道的区域中使晶片破断，去除残留有晶体畸变的外周部。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
