[发明专利]写入和验证电路及其用于写入并验证电阻性存储器的方法有效
| 申请号： | 201510241235.4 | 申请日： | 2015-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN106205725B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 黄科颖 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种写入和验证电路及其用于写入并验证电阻性存储器的方法。所述方法的步骤包含：在写入和验证期间启用对应于所述电阻性存储器的至少一个选择电阻性存储器单元的至少一个字线信号；提供位线电压至所述选择电阻性存储器单元，其中所述位线电压在所述写入和验证期间自第一电压电平到第二电压电平连续地增加或减小；以及测量通过所述位线的检测电流，和根据所述检测电流及参考电流确定所述写入和验证期间的结束时间点。本发明通过检测位线上的检测电流，可有效率地获得写入和验证期间的结束时间点，且可改良对RRAM进行的写入和验证操作的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 写入 验证 电路 及其 用于 电阻 存储器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于写入和验证电阻性存储器的方法，其特征在于，包括：在写入和验证期间启用对应于所述电阻性存储器的至少一个选择电阻性存储器单元的至少一个字线信号；提供位线电压到所述选择电阻性存储器单元，其中所述位线电压在所述写入和验证期间自第一电压电平至第二电压电平连续地增加或减小；以及测量通过所述选择电阻性存储器单元的位线的检测电流，和根据所述检测电流及参考电流确定所述写入和验证期间的结束时间点，如果所述第一电压电平大于所述第二电压电平，那么所述位线电压在所述写入和验证期间自所述第一电压电平连续地减小到所述第二电压电平；如果所述第一电压电平小于所述第二电压电平，那么所述位线电压在所述写入和验证期间自所述第一电压电平连续地增加到所述第二电压电平，所述参考电流非线性地减小从而重置所述选择电阻性存储器单元。
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