[发明专利]使用氯化钨前体制备钨和氮化钨薄膜的方法在审
| 申请号： | 201510236179.5 | 申请日： | 2015-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN105097446A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 汉娜·班诺乐克;拉什纳·胡马雍;高举文;迈克尔·达内克;约瑟亚·科林斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及使用氯化钨前体制备钨和氮化钨薄膜的方法，提供了用于使用诸如氯化钨之类的无氟钨前体形成钨膜的方法。方法涉及通过将衬底暴露于诸如乙硼烷(B2H6)之类的还原剂以及将该衬底暴露于氯化钨来沉积钨成核层，接着通过将该衬底暴露于氯化钨和还原剂来沉积体钨。方法还涉及稀释该还原剂以及将该衬底暴露于脉冲形式的无氟前体以沉积钨成核层。所沉积的膜表现出良好的阶梯覆盖和塞填。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 氯化 体制 氮化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在衬底上沉积钨的方法，所述方法包括：将所述衬底暴露于还原剂和氢，以及将所述衬底暴露于氯化钨以沉积所述钨，其中氢的流率与还原剂的流率之比在约10:1和约100:1之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
