[发明专利]一种用于相变存储器的Ge‑Sb‑Te‑Se薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510219504.7 | 申请日： | 2015-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN104868053B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 龚丽萍;吕业刚;孙景阳;王东明;汪伊曼;沈祥;王国祥;戴世勋 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C22C12/00 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙)33226 | 代理人： | 何仲 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于相变存储器的Ge‑Sb‑Te‑Se薄膜材料及其制备方法，特点是该材料是一种由锗‑锑‑碲‑硒四种元素组成的材料，其通式为(Sb2Se)x（Ge2Sb2Te5）y，其中Sb2Se摩尔百分含量为0%＜x%≤84%，GST摩尔百分含量16%≤y%≤95%，x+y=100，具体包括以下步骤将磁控溅射镀膜系统真空度控制为0‑1.6×10‑4Pa，溅射所需起辉气压为0.3Pa；然后将Sb2Se靶上的射频电源功率控制为3‑13W，将GST靶上的射频电源功率控制为5‑50W，溅射时间为10‑60分钟，沉积得到Ge‑Sb‑Te‑Se薄膜材料，优点是热稳定性好、数据保持能力强、相变速度快。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 相变 存储器 ge sb te se 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于相变存储器的Ge‑Sb‑Te‑Se薄膜材料的制备方法，其特征在于：采用Sb2Se靶和Ge2Sb2Te5合金靶两靶磁控共溅射而成，具体包括以下步骤：(1)在磁控溅射镀膜系统中将Sb2Se靶材和Ge2Sb2Te5靶材分别安装在磁控射频溅射靶中，采用半导体为衬底；(2)将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空处理直至室内真空度达到1.6×10‑4Pa，然后向溅射腔室内通入高纯氩气直至溅射腔室内气压达到溅射所需起辉气压0.3Pa；(3)然后将Sb2Se靶上的射频电源功率控制为3‑13W，将Ge2Sb2Te5靶上的射频电源功率控制为5‑50W，溅射时间为10分钟至60分钟，沉积得到厚度为161‑330nm的薄膜材料，即为Ge‑Sb‑Te‑Se薄膜材料，其化学结构式为(Sb2Se)x(Ge2Sb2Te5)y，其中Sb2Se整体的摩尔百分含量为5％≤x％≤84％，Ge2Sb2Te5整体的摩尔百分含量为16％≤y％≤95％，x+y＝100。
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