[发明专利]一种制备新型微纳米复合结构图案化蓝宝石衬底的方法在审
| 申请号： | 201510213029.2 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN104900489A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 葛海雄;郭旭;袁长胜;崔玉双;陈延峰 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/22;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备新型微纳米复合结构图案化蓝宝石衬底的方法，具体步骤包括：a)通过光刻和刻蚀工艺制备出具有高曲率和高深宽比的圆锥形微米图案化蓝宝石衬底；b)在微米图案化蓝宝石衬底上蒸发镀膜沉积金属镍层；c)将镀有金属镍层的蓝宝石衬底进行退火，得到具有镍纳米颗粒的微米图案化蓝宝石衬底；d)以镍纳米颗粒为掩模，将蓝宝石衬底进行ICP刻蚀，从而在圆锥形蓝宝石衬底上得到多个纳米蓝宝石柱阵列；e)除去残余的镍纳米颗粒，最终得到具有微米、纳米复合结构的图案化蓝宝石衬底。本发明制备微纳米复合结构的方法方便快捷、成本低廉，可以快速的在高深宽比、高曲率的微米图案上制备大面积的纳米图案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 新型 纳米 复合 结构 图案 蓝宝石 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种制备新型微纳米复合结构图案化蓝宝石衬底的方法，其特征在于，具体步骤如下：a)通过光刻和刻蚀工艺制备出具有高曲率和高深宽比的圆锥形微米图案化蓝宝石衬底；b)在所述微米图案化蓝宝石衬底上利用电子束蒸发镀膜沉积一层金属镍层；c)将镀有金属镍层的蓝宝石衬底进行退火，退火温度为700‑900℃，时间为1‑3分钟，得到具有镍纳米颗粒的微米图案化蓝宝石衬底；d)以所述镍纳米颗粒为掩模，将步骤c)制备得到的蓝宝石衬底进行感应耦合等离子体刻蚀，从而在圆锥形的蓝宝石衬底上得到多个纳米蓝宝石柱阵列；e)除去残余的镍纳米颗粒，最终得到具有微米、纳米复合结构的图案化蓝宝石衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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