[发明专利]传感器芯片的空腔形成方法、制造方法、芯片及电子设备有效
| 申请号： | 201510210301.1 | 申请日： | 2015-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN104925745A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 蔡孟锦;宋青林 | 申请（专利权）人： | 歌尔声学股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 马佑平;杨国权 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种传感器芯片的空腔形成方法、制造方法、芯片及电子设备。用于形成微机电系统压力传感器芯片中的空腔的方法，包括：在衬底上形成第一凹槽；将覆盖层键合到衬底上，以覆盖第一凹槽，从而形成空腔；以及对覆盖层进行蚀刻，以降低覆盖层厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 芯片 空腔 形成 方法 制造 电子设备 | ||
【主权项】：
一种用于形成微机电系统压力传感器芯片中的空腔的方法，包括：在衬底上形成第一凹槽；将覆盖层键合到衬底上，以覆盖第一凹槽，从而形成空腔；以及对覆盖层进行蚀刻，以降低覆盖层厚度。
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