[发明专利]溅射靶及其制备方法有效
| 申请号： | 201510207454.0 | 申请日： | 2015-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN104805407B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 庄大明;赵明;李晓龙;曹明杰;孙汝军;张冷;高泽栋 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人： | 哈达 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种溅射靶，由Cuy(In1‑xGax)Se2粉末及单质Se粉末混合后烧结形成，该溅射靶中含有Cuy(In1‑xGax)Se2+z。本发明还涉及一种溅射靶的制备方法，包括将Cuy(In1‑xGax)Se2粉末和单质Se粉末在液态介质中进行球磨混合，再将球磨后的混合物烘干去除该液态介质；以及采用热压烧结、常压烧结或热等静压烧结工艺，对球磨后得到的混合体在400°C~900°C进行烧结。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其特征在于，由Cuy(In1‑xGax)Se2粉末及单质Se粉末混合后烧结形成，该溅射靶中含有Cuy(In1‑xGax)Se2+z或Cuy(In1‑xGax)Se2+z与单质Se的组合，该溅射靶中元素之间的摩尔比为1.222≤Se:(Cu+In+Ga)≤1.5，该溅镀靶的制备方法包括：将Cu(In1‑xGax)Se2粉末和单质Se粉末在液态介质中进行球磨混合，再将球磨后的混合物烘干去除该液态介质，该Cu(In1‑xGax)Se2粉末与单质Se粉末的摩尔比为1.0:(0.6～1.0)；以及采用热压烧结、常压烧结或热等静压烧结工艺，对球磨后得到的混合体在400℃～900℃进行烧结，得到所述溅射靶，该溅射靶为Cuy(In1‑xGax)Se2中原位掺杂Se元素。
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