[发明专利]沟槽型VDMOS制造方法在审
| 申请号： | 201510205791.6 | 申请日： | 2015-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106158660A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;邱海亮;马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 陶敏;黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽型VDMOS制造方法。该方法包括：在N型外延层上沉积硬掩膜层；对硬掩膜层中的中间区域进行光刻、刻蚀，形成第一沟槽窗口区；对第一沟槽窗口区的下侧区域进行刻蚀，在N型外延层中形成第一沟槽；在硬掩膜层上表面，第一沟槽窗口区及第一沟槽中生长P型外延；采用化学机械抛光工艺去除硬掩膜层上表面的P型外延，硬掩膜层及第一沟槽窗口区中的P型外延，以使第一沟槽中形成P型离子区；在N型外延层中P型离子区两侧的部分区域分别形成第二沟槽；在N型外延层的上表面及第二沟槽内表面形成栅氧化层；在第二沟槽中的栅氧化层上沉积多晶硅层；形成沟槽型VDMOS的体区，源区，介电层及金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 vdmos 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型VDMOS制造方法，其特征在于，包括：在所述N型外延层上沉积硬掩膜层；对所述硬掩膜层中的中间区域进行光刻、刻蚀，形成第一沟槽窗口区；对所述第一沟槽窗口区的下侧区域进行刻蚀，在所述N型外延层中形成第一沟槽；在所述硬掩膜层上表面，所述第一沟槽窗口区及所述第一沟槽中生长P型外延；采用化学机械抛光工艺去除所述硬掩膜层上表面的P型外延，所述硬掩膜层及所述第一沟槽窗口区中的P型外延，以使所述第一沟槽中形成P型离子区；在所述N型外延层中P型离子区两侧的部分区域分别形成第二沟槽；在所述N型外延层的上表面及所述第二沟槽内表面形成栅氧化层；在所述第二沟槽中的栅氧化层上沉积多晶硅层；形成所述沟槽型VDMOS的体区，源区，介电层及金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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