[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 201510160956.2 | 申请日: | 2015-04-07 |
公开(公告)号: | CN104979286A | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
发明(设计)人: | 久保田一弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/268 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;蔡丽娜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种晶片的加工方法,其能够防止芯片的角的缺损。所述晶片的加工方法具有:保护部件设置步骤,将保护部件(21)设置在晶片(11)的正面(11a);改性层形成步骤,照射对晶片具有透射性的波长的激光束(L)来在晶片的内部形成改性层(23);保持步骤,利用保持构件(14)借助保护部件保持晶片;以及磨削步骤,利用包含磨削磨具(40)的磨削构件磨削晶片来将晶片薄化到规定的厚度,并且形成沿着改性层被分割的多个芯片(27),通过在改性层形成步骤中,形成沿着间隔道(17)的改性层(23b),并且在间隔道的交叉区域形成俯视观察时呈矩形状的改性层(23b),而成为在多个芯片上形成将角去掉而成的去掉部(27a)的结构。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片的加工方法,所述晶片在由多条间隔道划分出的正面的各区域分别形成有器件,所述晶片的加工方法的特征在于,其具有:保护部件设置步骤,在该保护部件设置步骤中,将保护部件设置到晶片的正面;改性层形成步骤,在实施该保护部件设置步骤前或后,照射对晶片具有透射性的波长的激光束来在晶片的内部形成改性层;保持步骤,在实施了该保护部件设置步骤和该改性层形成步骤后,利用保持构件借助该保护部件保持晶片;以及磨削步骤,在实施了该保持步骤后,利用包含磨削磨具的磨削构件磨削晶片来将晶片薄化到规定的厚度,并且形成被沿着该改性层分割开的多个芯片,通过在该改性层形成步骤中,形成沿着该间隔道的改性层,并且在该间隔道的交叉区域形成俯视观察时呈圆形的改性层、或顶点分别位于该间隔道上的俯视观察时呈矩形状的改性层,从而在该磨削步骤中所形成的多个芯片上形成将角去掉而成的去掉部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造