[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及分割晶片来形成多个芯片的晶片的加工方法。

背景技术

近年来，为了实现小型轻量的器件，需要通过磨削将由硅等材料构成的晶片加工得薄。在该磨削中例如使用如下的磨削装置，该磨削装置具有：卡盘工作台，其抽吸保持晶片；以及磨削轮，其配置在卡盘工作台的上方，并在该磨削轮的下表面固定有磨具(磨削磨具)。

通过在使卡盘工作台与磨削轮相互旋转的同时，使磨削轮下降来将磨削磨具按压到晶片的被加工面，而能够磨削晶片来进行薄化。但是，为了将伴随着该薄化而刚性降低的晶片分割成多个芯片而利用切削刀具等进行切削时，容易产生崩边(缺口)和裂化(裂纹)等问题。

因此，近年来，如下加工方法得以实用化：使难以被晶片吸收(具有透射性)的波长的激光束会聚在晶片的内部，形成作为分割的起点的改性区域(改性层)，之后对晶片进行磨削(例如，参照专利文献1)。在该加工方法中，利用在磨削时施加的外力在将晶片薄化的同时将其分割成多个芯片，因此，不需要对刚性有所降低的晶片进行切削。

专利文献1：国际公开第03/077295号

然而，在上述的加工方法中，通过分割形成的多个芯片彼此接近，因此，所形成的芯片在磨削中彼此接触，特别是，芯片的角缺损的可能性高。若芯片的角缺损，则会以该缺口为起点产生裂纹，从而器件破损。

发明内容

本发明是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于，提供能够防止芯片的角的缺损的晶片的加工方法。

根据本发明，提供一种晶片的加工方法，该晶片在由多条间隔道划分出的正面的各区域分别形成有器件，所述晶片的加工方法的特征在于，其具有：保护部件设置步骤，在该保护部件设置步骤中，将保护部件设置到晶片的正面；改性层形成步骤，在实施该保护部件设置步骤前或后，照射对晶片具有透射性的波长的激光束来在晶片的内部形成改性层；保持步骤，在实施了该保护部件设置步骤和该改性层形成步骤后，利用保持构件借助该保护部件保持晶片；以及磨削步骤，在实施了该保持步骤后，利用包含磨削磨具的磨削构件磨削晶片来将晶片薄化到规定的厚度，并且形成被沿着该改性层分割开的多个芯片，通过在该改性层形成步骤中，形成沿着该间隔道的改性层，并且在该间隔道的交叉区域形成俯视观察时呈圆形的改性层、或顶点分别位于该间隔道上的俯视观察时呈矩形状的改性层，从而在该磨削步骤中所形成的多个芯片上形成将角去掉而成的去掉部。

在本发明的晶片的加工方法中，沿着晶片的间隔道形成改性层，并且在间隔道的交叉区域形成俯视观察时呈圆形的改性层、或顶点分别位于间隔道上的俯视观察时呈矩形状的改性层，因此，之后通过沿着改性层分割晶片，能够形成具有将角去掉而成的去掉部的多个芯片。

即，如果设置用于形成去掉部的矩形状或者圆形的改性层，则在晶片的磨削中芯片的角会被去掉，因此，即使相邻的芯片彼此接触，芯片的角也不会缺损。这样，根据本发明，能够提供能够防止芯片的角的缺损的晶片的加工方法。

附图说明

图1的(A)是示意性示出晶片的结构例的立体图，图1的(B)是示意性示出保护部件设置步骤的立体图。

图2的(A)是示意性示出改性层形成步骤的局部剖视侧视图，图2的(B)是示意性示出在晶片中形成的改性层的俯视图。

图3是示意性示出保持步骤和磨削步骤的立体图。

图4是示意性示出所形成的芯片的形状的俯视图。

图5的(A)是示意性示出在第1变形例中在晶片中形成的改性层的俯视图，图5的(B)是示意性示出在第2变形例中在晶片中形成的改性层的俯视图。

图6是示意性示出在第1变形例中形成的芯片的形状的俯视图。

标号说明

11：晶片；11a：正面；11b：背面；11c：外周；13：器件区域；15：外周剩余区域；17：间隔道(分割预定线)；19：器件；21：保护部件；21a：正面；21b：背面；23、23a、23b、23c、23d、23e、23f：改性层；25：裂纹层；27：芯片；27a、27b：去掉部；2：激光加工装置；4：激光加工头；12：磨削装置；14：卡盘工作台(保持构件)；16：主轴；18：轮座；20：磨削轮；22：轮基座；24：磨削磨具；L：激光束。

具体实施方式

参照附图，对本发明的实施方式进行说明。本实施方式的晶片的加工方法包含保护部件设置步骤(图1的(B))、改性层形成步骤(图2的(A)、图2的(B))、保持步骤(图3)以及磨削步骤(图3、图4)。