[发明专利]具有抑制带外辐射的ITO吸收件的EUV掩模有效
| 申请号： | 201510148146.5 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106154735B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 谢依凌;游信胜;陈政宏;严涛南 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/22 | 分类号： | G03F1/22;G03F1/24;G03F7/20 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明也提供了光刻掩模。光刻掩模包括含有低热膨胀材料(LTEM)的衬底。反射结构设置在衬底上方。覆盖层设置在反射结构上方。吸收层设置在覆盖层上方。吸收层包含氧化铟锡(ITO)材料。在一些实施例中，ITO材料具有SnO6晶体结构。本发明还涉及具有抑制带外辐射的ITO吸收件的EUV掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 抑制 辐射 ito 吸收 euv 掩模 | ||
【主权项】：
1.一种光刻掩模，包括：/n衬底，包含低热膨胀材料；/n反射结构，设置在所述衬底上方；/n覆盖层，设置在所述反射结构上方；以及/n吸收层，设置在所述覆盖层上方，其中，所述吸收层包含氧化铟锡材料，其中，所述氧化铟锡材料具有SnO6晶体结构。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
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