[发明专利]峰值温度衰减膜有效
| 申请号： | 201510136706.5 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104952700B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | R.R.哈姆 | 申请（专利权）人： | 古德里奇公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;张懿 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种传热系统，所述传热系统包括衬底，和与所述衬底在界面处物理接触和热接触的薄膜涂层。所述衬底被配置来透射热波，并且具有第一蓄热系数和第一厚度。所述薄膜涂层具有小于所述第一蓄热系数的第二蓄热系数，和小于所述第一厚度的第二厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 峰值 温度 衰减 | ||
【主权项】：
1.一种峰值温度衰减系统，所述峰值温度衰减系统包括：衬底，所述衬底被配置来透射热波，所述衬底具有第一蓄热系数和第一厚度；以及薄膜涂层，所述薄膜涂层与所述衬底在界面处物理接触和热接触，所述薄膜涂层具有小于所述第一蓄热系数的第二蓄热系数，和小于所述第一厚度的第二厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
