[发明专利]铋层状结构压电陶瓷及其制备方法以及提高铋层状结构压电陶瓷高温电阻率的方法有效
| 申请号： | 201510116742.5 | 申请日： | 2015-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104725045B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 周志勇;李玉臣;董显林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;C04B35/495;C04B35/468;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 | 代理人： | 曹芳玲,郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及铋层状结构压电陶瓷及其制备方法以及提高铋层状结构压电陶瓷高温电阻率的方法，所述铋层状结构压电陶瓷包括主相和作为第二相的具有高绝缘电阻的氧化物粉体颗粒，其中，主相包括Na0.5Bi2.5Nb2O9、Bi3TiNbO9、CaBi2Nb2O9和/或Bi4Ti3O12，第二相与主相的重量比≤10%，优选在1～5%之间。采用本发明提出的新方法，通过氧化物掺杂在晶界处形成第二相、调控微结构，可以在有效提高铋层状结构压电陶瓷高温电阻率的同时，协同优化其介电和压电性能，为制备出满足高温压电振动传感器用铋层状结构压电陶瓷提供了新途径。 | ||
| 搜索关键词： | 层状 结构 压电 陶瓷 及其 制备 方法 以及 提高 高温 电阻率 | ||
【主权项】：
一种具有高温下高电阻率的铋层状结构压电陶瓷，其特征在于，所述铋层状结构压电陶瓷包括主相和作为第二相的具有高绝缘电阻的氧化物粉体颗粒，其中，主相包括Na0.5Bi2.5Nb2O9、Bi3TiNbO9、CaBi2Nb2O9和/或Bi4Ti3O12，第二相与主相的重量比在1～5%之间，所述第二相形成于主相的晶界处，不进入主相的晶格中，具有高绝缘电阻的氧化物粉体颗粒为Al2O3粉体颗粒。
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