[发明专利]铋层状结构压电陶瓷及其制备方法以及提高铋层状结构压电陶瓷高温电阻率的方法有效
| 申请号： | 201510116742.5 | 申请日： | 2015-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104725045B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 周志勇;李玉臣;董显林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;C04B35/495;C04B35/468;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 | 代理人： | 曹芳玲,郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 层状 结构 压电 陶瓷 及其 制备 方法 以及 提高 高温 电阻率 | ||
1.一种具有高温下高电阻率的铋层状结构压电陶瓷，其特征在于，所述铋层状结构压电陶瓷包括主相和作为第二相的具有高绝缘电阻的氧化物粉体颗粒，其中，主相包括Na0.5Bi2.5Nb2O9、Bi3TiNbO9、CaBi2Nb2O9和/或Bi4Ti3O12，第二相与主相的重量比在1～5%之间，所述第二相形成于主相的晶界处，不进入主相的晶格中，具有高绝缘电阻的氧化物粉体颗粒为Al2O3粉体颗粒。
2.一种权利要求1所述铋层状结构压电陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：
1）按所述铋层状结构压电陶瓷主相组成，分别称取相应氧化物原料，经均匀混合后，在650～900℃下合成，获得主相物质为组成的压电陶瓷粉体；
2）按所述铋层状结构压电陶瓷第二相组成，称取相应氧化物原料，将以主相物质为组成的压电陶瓷粉体、以及所述第二相氧化物粉体，均匀混合后作为原料粉体；
3）将原料粉体进行成型处理，形成所述铋层状结构压电陶瓷的坯体；
4）将坯体在1000～1200℃下烧结得到所述铋层状结构压电陶瓷。
3.一种提高铋层状结构压电陶瓷的高温下的电阻率的方法，其特征在于，所述方法包括采用具有高绝缘电阻的氧化物粉体颗粒填充铋层状结构压电陶瓷片状颗粒堆积形成的空隙或者气孔，所述氧化物粉体颗粒与铋层状结构压电陶瓷片状颗粒的重量比在1～5%之间，具有高绝缘电阻的氧化物粉体颗粒为Al2O3粉体颗粒。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述氧化物粉体颗粒作为第二相形成于作为主相的铋层状结构压电陶瓷片状颗粒的晶界处。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，采用固相反应法制备，将具有高绝缘电阻的氧化物粉体颗粒加入到合成后的铋层状结构压电陶瓷粉体中，再通过成型、烧结制备改性的铋层状结构压电陶瓷，所述改性铋层状结构压电陶瓷相对未加入所述具有高绝缘电阻的氧化物粉体颗粒的铋层状结构压电陶瓷，高温下电阻率提高1～3个数量级。
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