[发明专利]低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器

摘要

一种低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器，包括一衬底；一发射极接触层，其制作在衬底上；一发射区，其制作在发射极接触层上，发射极接触层另一侧形成一台面；一隔离层，其制作在发射区上；一双势垒结构，其制作在隔离层上；一吸收层，其制作在双势垒层结构上；一集电区，其制作在吸收层上；一上电极，其制作在集电区上；一下电极，其制作在发射极接触层另一侧的台面上。本发明可以进一步降低暗电流。通过使用本发明提出的npin型掺杂，基于共振隧穿二极管的近红外探测器将会得到低的暗电流。

主权项

一种低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器，包括：一衬底；一发射极接触层，其制作在衬底上；一发射区，其制作在发射极接触层上，发射极接触层另一侧形成一台面；一隔离层，其制作在发射区上；一双势垒结构，其制作在隔离层上，该双势垒结构包括一下势垒层、一势阱层和一上势垒层，该下势垒层和上势垒层的材料为AlAs，掺杂浓度为p型5×1017‑5×1018cm‑3，厚度分别为5‑10ML，该势阱层的材料为In0.53Ga0.47As，掺杂浓度为p型5×1017‑5×1018cm‑3，厚度为4‑10nmm；一吸收层，其制作在双势垒层结构上；一集电区，其制作在吸收层上；一上电极，其制作在集电区上；一下电极，其制作在发射极接触层另一侧的台面上。