[发明专利]一种利用强光辐照降低P型晶体硅太阳能电池及其组件光致衰减的方法

摘要

本发明公开了一种利用强光辐照降低P型晶体硅太阳能电池及其组件光致衰减的方法，对P型晶体硅太阳能电池成品或半成品，或在开路状态下的P型晶体硅太阳能电池组件成品或半成品，用辐射强度为2～20kW/m2的强光照射至少30秒。该方法通过将掺硼P型晶体硅太阳能电池在强光照射下，使亚稳态硼氧复合体分离形成稳定的硼和氧再生态，从而可大幅度降低P型晶体硅太阳能电池及其组件的光致衰减。

主权项

一种利用强光辐照降低P型晶体硅太阳能电池及其组件光致衰减的方法，其特征是：对P型晶体硅太阳能电池成品或半成品，或在开路状态下的P型晶体硅太阳能电池组件成品或半成品，用辐射强度为5~10kW/m2的强光照射1~3分钟；用辐射强度为5~10kW/m2的强光照射1~3分钟的过程中，对P型晶体硅太阳能电池成品或半成品，或在开路状态下的P型晶体硅太阳能电池组件成品或半成品进行散热处理，使其温度保持在140~200℃；对P型晶体硅太阳能电池成品或半成品，或在开路状态下的P型晶体硅太阳能电池组件成品或半成品进行散热处理时通入氮气，使其在强光照射下时处于氮气保护气氛中，以防止其金属电极氧化。