[发明专利]提高了板级可靠性的晶片级封装装置有效
申请号: | 201510093046.7 | 申请日: | 2015-03-02 |
公开(公告)号: | CN104900544B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | P·R·哈珀;M·梅森;A·V·萨莫伊洛夫 | 申请(专利权)人: | 马克西姆综合产品公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/492 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 李隆涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明描述了一种晶片级封装装置、电子装置和用于制造该晶片级封装装置的制造方法,该方法包括在晶片级封装装置上形成暴露的引线末端,以便当将晶片级封装装置结合到另一电部件时提供焊料支撑结构。在各实现方式中,晶片级封装装置包括至少一个集成电路管芯、金属垫、第一电介质层、再分布层、第二电介质层、柱结构、模制层、柱层、和镀覆层,其中柱层被锯切以在晶片级封装装置的至少两个侧面上形成垫触头。暴露的垫触头便于形成焊料角焊缝和支撑结构,结果得到改善的板级可靠性。 | ||
搜索关键词: | 提高 可靠性 晶片 封装 装置 | ||
【主权项】:
1.一种晶片级封装装置,其包括:经处理的半导体晶片,其包括至少一个集成电路管芯;金属垫,其设置在所述至少一个集成电路管芯上;第一电介质层,其设置在所述至少一个集成电路管芯上以及所述金属垫的至少一部分上;再分布层,其至少部分地形成在所述金属垫和所述第一电介质层上;第二电介质层,其设置在所述第一电介质层上以及所述再分布层的一部分上;柱结构,其形成在所述再分布层上;模制层,其至少部分地形成在所述第二电介质层上;锯切的柱层,其形成在所述柱结构上并抵接所述柱结构,其中所述锯切的柱层覆盖所述柱结构并且是部分悬臂构造,并且其中所述锯切的柱层形成暴露的引线末端;和镀覆层,其形成在所述柱层上,其中所述锯切的柱层的两侧被配置成附着到焊料连接,所述焊料连接形成焊料角焊缝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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