[发明专利]压印存储器在审
| 申请号： | 201510091225.7 | 申请日： | 2012-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104751894A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 杭州海存信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/10 | 分类号： | G11C17/10;H01L27/112 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 高昂的数据掩膜版成本将极大地限制掩膜编程只读存储器（mask-ROM）的广泛应用。本发明提出一种压印存储器（imprinted memory），尤其是三维压印存储器（three-dimensional imprinted memory，简称为3D-iP）。它采用压印法（imprint-lithography）来录入数据。压印法也称为纳米压印法（nano-imprint lithography，简称为NIL），其采用的数据模版（template）比光刻法采用的数据掩膜版成本价格更为低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 压印 存储器 | ||
【主权项】：
一种制造压印存储器的方法，其特征在于包括如下步骤：1）形成一数据录入膜；2）通过压印法将数据图形从一数据模版转换到该数据录入膜中；3）形成多条与该数据录入膜耦合的地址线；其中，该数据图形代表存储于该存储器中的数据，且该数据图形具有纳米尺度，且不具有微米尺度周期性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州海存信息技术有限公司，未经杭州海存信息技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510091225.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
