[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201510090263.0 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN105990430A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述半导体器件，包括：半导体衬底；若干鳍片结构，位于所述半导体衬底上；穿通停止层，位于所述鳍片结构中的沟道区内；扩散停止层，位于所述鳍片结构中所述穿通停止层的上方。本发明的优点在于，通过引入所述碳扩散停止层可以抑制沟道停止层离子注入扩散至沟道，从而避免由于随机掺杂涨落(Random Doping Fluctuation，RDF)引起的半导体器件失配性能的下降，此外，所述碳扩散停止层还有助于NMOS穿通停止层离子注入B掺杂的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；若干鳍片结构，位于所述半导体衬底上；穿通停止层，位于所述鳍片结构中的沟道区内；扩散停止层，位于所述鳍片结构中所述穿通停止层的上方。
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