[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201510087075.2 | 申请日： | 2015-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN104617153A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 陈耀铭;沈柏元 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/04;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括：栅极；栅极介电层，覆盖于栅极上方；半导体层，设置于栅极介电层上方，所述半导体层具有一部分未与栅极重叠；漏极和源极，位于半导体层和栅极介电层上方，且漏极和源极相对设置，并利用半导体层连接；以及滤光层，设置于栅极和栅极介电层下方，其中滤光层至少遮蔽半导体层未与栅极重叠的部分。采用本发明，藉由滤光层反射波长400-500纳米的光，降低半导体层受到短波长光线照射的机率。相比于现有技术，本发明可降低半导体层受到短波长光线照射而产生漏电的情形，以达到稳定组件电性的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：一栅极；一栅极介电层，覆盖于所述栅极上方；一半导体层，设置于所述栅极介电层上方，所述半导体层具有一部分未与所述栅极重叠；一漏极和一源极，位于所述半导体层和所述栅极介电层上方，所述漏极和所述源极相对设置，并利用所述半导体层连接；以及一滤光层，设置于所述栅极和所述栅极介电层下方，其中所述滤光层至少遮蔽所述半导体层未与所述栅极重叠的部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司，未经友达光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510087075.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
