[发明专利]一种互连结构的制作方法、半导体器件及电子装置有效
| 申请号： | 201510084984.0 | 申请日： | 2015-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN105990226B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种互连结构的制作方法，其包括下述步骤：步骤a：在半导体衬底上形成多孔超低K介质薄膜，所述超低K介质薄膜为SiCOH薄膜；步骤b：用H2等离子体处理所述多孔超低K介质薄膜，以去除致孔剂；步骤c：用He等离子体处理所述多孔超低K介质薄膜，以使Si‑CH3转变Si‑CHx，其中x小于等于2；步骤d：用紫外光照射所述多孔超低K介质薄膜，以去除剩余的致孔剂，并实现交联。综上所述，根据本发明的互连结构的制作方法，可使富碳致孔剂残余大大减少，从而降低泄露电流，提高击穿电压，同时由于形成更多的Si‑CHx‑Si交联，一方面增强了薄膜的抗等离子体损伤性能和机型性能，另一方面，降低了薄膜的亲水性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互连 结构 制作方法 半导体器件 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤a：在半导体衬底上形成多孔超低K介质薄膜，所述超低K介质薄膜为SiCOH薄膜；步骤b：用H2等离子体处理所述多孔超低K介质薄膜，以去除致孔剂；步骤c：用He等离子体处理所述多孔超低K介质薄膜，以使Si‑CH3转变Si‑CHx，其中x小于等于2；步骤d：用紫外光照射所述多孔超低K介质薄膜，以去除剩余的致孔剂，并实现Si‑CHx‑Si交联。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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