[发明专利]磷光体、发光装置及制造磷光体的方法无效

专利信息
申请号: 201510084975.1 申请日: 2015-02-16
公开(公告)号: CN104861966A 公开(公告)日: 2015-08-26
发明(设计)人: 福田由美;阿尔贝萨惠子;石田邦夫;加藤雅礼 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: C09K11/64 分类号: C09K11/64;H01L33/50
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 过晓东
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 本公开的实施方案提供一种发黄光的磷光体,所述磷光体三是由式(1)表示:((SrpM1-p)1-xCex)2yAlzSi10-zOuNw。在该式中,M是至少一种碱土金属,并且p、x、y、z、u及w是满足以下条件的数字:0≤p≤1,0<x≤1,0.8≤y≤1.1,2≤z≤3.5,0<u≤1,1.8≤z-u及13≤u+w≤15。当激发光的峰在350nm到475nm范围内变化时,所述磷光体的发射峰在小于15nm范围内偏移。
搜索关键词: 磷光体 发光 装置 制造 方法
【主权项】:
一种由下式(1)表示的磷光体,((SrpM1‑p)1‑xCex)2yAlzSi10‑zOuNw   (1)其中M是至少一种碱土金属,并且p、x、y、z、u及w是满足以下条件的数字:0≤p≤1,0<x≤1,0.8≤y≤1.1,2≤z≤3.5,0<u≤1,1.8≤z‑u,及13≤u+w≤15;所述磷光体在峰波长范围是250nm到500nm的激发光的激发下发射出发射峰在500nm到600nm波长范围内的光,其中当所述激发光的峰在350nm到475nm范围内变化时,所述发射峰在小于15nm的范围内偏移。
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