[发明专利]磷光体、发光装置及制造磷光体的方法无效
申请号: | 201510084975.1 | 申请日: | 2015-02-16 |
公开(公告)号: | CN104861966A | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
发明(设计)人: | 福田由美;阿尔贝萨惠子;石田邦夫;加藤雅礼 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | C09K11/64 | 分类号: | C09K11/64;H01L33/50 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 过晓东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磷光体 发光 装置 制造 方法 | ||
相关申请的交叉参考
本申是基于在2014年2月25日提交的在先日本专利申请号2014-034258并且要求该案的优先权益,该案完整内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开的实施方案涉及磷光体、发光装置及制造所述磷光体的方法。
背景技术
发白光装置包含例如蓝光LED、在蓝光激发下发红光的磷光体以及在蓝光激发下发绿光的另一种磷光体的组合。然而,如果含有在蓝光激发下发黄光的磷光体,则可以使用更少种类的磷光体来制造发白光装置。作为在蓝光激发下发黄光的磷光体的实例,已知Ce活化的含Sr的SiAlON磷光体。
附图说明
图1A到图1C示出了Sr2Al3Si7ON13的晶体结构。
图2示出了示意性说明根据一个实施方案的发光装置的构造的截面图。
图3示出了示意性说明根据另一个实施方案的发光装置的构造的截面图。
图4示出了实施例1中制造的磷光体的XRD谱图。
图5示出了实施例1中制造的磷光体的发射光谱。
图6示出了实施例2中制造的磷光体的XRD谱图。
图7示出了实施例2中制造的磷光体的发射光谱。
图8示出了实施例和比较实施例中制造的磷光体的发射波长与发光效率之间的关系。
图9示出了实施例1和比较实施例1中制造的磷光体的发射峰波长与激发峰波长之间的关系。
图10示出了实施例和比较实施例中制造的磷光体的色度图。
具体实施方式
现将参照附图解释各实施方案。
根据本公开的一个实施方案的磷光体在峰波长范围是250nm到500nm的激发光的激发下发射出发射峰在500nm到600nm波长范围内的光,并且该磷光体是由下式(1)表示:
((SrpM1-p)1-xCex)2yAlzSi10-zOuNw (1)
其中
M是至少一种碱土金属,并且p、x、y、z、u及w是满足以下条件的数字:
0≤p≤1,
0<x≤1,
0.8≤y≤1.1,
2≤z≤3.5,
0<u≤1,
1.8≤z-u,及
13≤u+w≤15。
当所述激发光的峰在350nm到475nm范围内变化时,所述发射峰在小于15nm范围内偏移。
以下将详细地解释该实施方案。
根据该实施方案的磷光体由于在峰波长是250nm到500nm的激发光的激发下显示出峰波长是500nm到600nm的发光,故该磷光体可以发射在黄绿色到橙色范围内的光。因此,这种磷光体主要放射出在黄色范围内的光,并由此在下文中被称为“发黄光磷光体”。所述实施方案的发黄光磷光体的基质具有与Sr2Al3Si7ON13基本上相同的晶体结构,并且该基质被Ce活化。具体地说,根据该实施方案的发黄光磷光体是由下式(1)表示:
((SrpM1-p)1-xCex)2yAlzSi10-zOuNw (1)。
在该式中,M是至少一种碱土金属,并且p、x、y、z、u及w是满足以下条件的数字:
0≤p≤1,
0<x≤1,
0.8≤y≤1.1,
2≤z≤3.5,
0<u≤1,
1.8≤z-u,及
13≤u+w≤15。
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