[发明专利]磷光体、发光装置及制造磷光体的方法

权利要求书

1.一种由下式(1)表示的磷光体，

((Sr_pM_1-p)_1-xCe_x)_2yAl_zSi_10-zO_uN_w   (1)

其中

M是至少一种碱土金属，并且p、x、y、z、u及w是满足以下条件的数字：

0≤p≤1，

0<x≤1，

0.8≤y≤1.1，

2≤z≤3.5，

0<u≤1，

1.8≤z-u，及

13≤u+w≤15；

所述磷光体在峰波长范围是250nm到500nm的激发光的激发下发射出发射峰在500nm到600nm波长范围内的光，

其中

当所述激发光的峰在350nm到475nm范围内变化时，所述发射峰在小于15nm的范围内偏移。

2.根据权利要求1所述的磷光体，其中M是选自Ba、Ca和Mg中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的磷光体，其中所述数字p不大于0.1。

4.根据权利要求1所述的磷光体，在根据布拉格-布伦塔诺法用Cu-Kα线放射进行的X射线衍射测量中，所述磷光体在以下衍射角(2θ)下显示至少十个峰：8.45°到8.75°、11.1°到11.4°、18.2°到18.5°、19.7°到20.0°、23.0°到23.3°、24.8°到25.1°、25.65°到25.95°、26.55°到26.85°、29.3°到29.6°、29.8°到30.1°、30.2°到30.5°、30.9°到31.2°、31.55°到31.85°、33.55°到33.85°、33.9°到34.2°、34.35°到34.65°、35.2°到35.5°、36.0°到36.3°、36.5°到36.8°、48.3°到48.6°以及48.7°到49.0°。

5.一种发光装置，其包括

发光元件，放射出峰值在250nm到500nm波长范围内的光；及

发光层，其包含根据权利要求1所述的磷光体。

6.一种用于制造根据权利要求1所述的磷光体的方法，其包括以下步骤：

混合以下材料以制备混合物：

含Sr的材料，该材料选自Sr的硅化物、氮化物或碳化物，

含M的材料，该材料选自M的硅化物、氮化物或碳化物，

含Al的材料，该材料选自Al的氮化物、氧化物或碳化物，

含Si的材料，该材料选自Si的氮化物、氧化物或碳化物，及

含Ce的材料，该材料选自Ce的氧化物、氮化物或碳酸盐；然后

烧制所述混合物。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述含Sr和M的材料分别是Sr和M的硅化物。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述混合物是通过从小到大重量的顺序干混合呈粉末形式的所述材料来制备。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述烧制步骤是根据多阶段烧制在组合的两组或更多组不同的烧制条件下进行。

10.根据权利要求6所述的方法，其中所述混合物在氢气与氮气的混合气体气氛中于大气压力下进行烧制，然后继续再在氮气气氛中于增加的压力下进行烧制。

11.根据权利要求10所述的方法，其中在增加的压力下进行的烧制程序是根据单阶段烧制在5atm或更高压力及1500℃到2000℃温度下进行。

12.根据权利要求10所述的方法，其中在增加的压力下进行的烧制程序是在氮气气氛中进行。