[发明专利]电平下降电路和高压侧短路保护电路有效
| 申请号： | 201510084790.0 | 申请日： | 2015-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN104868891B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 坂井邦崇;前川祐也 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08;H03K17/567 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供电平下降电路和高压侧短路保护电路，能够防止高压侧的浮动电位(HS)的变化引起的低压侧的信号检测电路的误检测。电平下降电路具有第1串联电路(P型沟道MOSFET Q1、电阻R1)，其连接在高压侧的电源电压(VB)与公共电位(COM)之间，将在高压侧检测出的检测信号转换为以公共电位为基准的电压信号(VA)；基准电压生成电路(P型沟道MOSFET Q2、电阻R2)，其生成消除了浮动电位(HS)引起的电压信号(VA)的变动的基准电压(VREF)；以及比较器(COMP2)，其对由第1串联电路转换后的电压信号与由基准电压生成电路生成的基准电压进行比较，生成以公共电位(COM)为基准的检测信号。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 下降 电路 高压 短路 保护 | ||
【主权项】：
一种电平下降电路，其将在以浮动电位为基准的高压侧检测出的检测信号传递到以公共电位为基准的低压侧，该电平下降电路的特征在于，具有：第1串联电路，其连接在高压侧的电源电压与所述公共电位之间，将在高压侧检测出的所述检测信号转换为以所述公共电位为基准的电压信号；基准电压生成电路，其生成基准电压，该基准电压消除了因所述浮动电位而引起、并由所述第1串联电路转换后的所述电压信号的变动；以及比较器，其对由所述第1串联电路转换后的所述电压信号和由所述基准电压生成电路生成的所述基准电压进行比较，由此生成以所述公共电位为基准的检测信号。
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