[发明专利]电平下降电路和高压侧短路保护电路有效
申请号: | 201510084790.0 | 申请日: | 2015-02-16 |
公开(公告)号: | CN104868891B | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 坂井邦崇;前川祐也 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H03K17/08 | 分类号: | H03K17/08;H03K17/567 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电平 下降 电路 高压 短路 保护 | ||
1.一种电平下降电路,其将在以浮动电位为基准的高压侧检测出的检测信号传递到以公共电位为基准的低压侧,该电平下降电路的特征在于,具有:
第1串联电路,其连接在高压侧的电源电压与所述公共电位之间,将在高压侧检测出的所述检测信号转换为以所述公共电位为基准的电压信号;
基准电压生成电路,其生成基准电压,该基准电压消除了因所述浮动电位而引起、并由所述第1串联电路转换后的所述电压信号的变动;以及
比较器,其对由所述第1串联电路转换后的所述电压信号和由所述基准电压生成电路生成的所述基准电压进行比较,由此生成以所述公共电位为基准的检测信号。
2.根据权利要求1所述的电平下降电路,其特征在于,
所述基准电压生成电路是在高压侧的电源电压与所述公共电位之间与所述第1串联电路并联连接的第2串联电路。
3.根据权利要求2所述的电平下降电路,其特征在于,
所述第1串联电路具有第1场效应晶体管和第1电阻,其中,所述第1场效应晶体管根据在高压侧检测出的所述检测信号而导通/截止,
所述第2串联电路具有:第2场效应晶体管,其具有与第1场效应晶体管相同的寄生静电电容,且维持截止状态;以及第2电阻,其具有与第1电阻相同的电阻值。
4.一种高压侧短路保护电路,其检测流过连接在主电源电压与浮动电位之间的高压侧半导体元件的过电流,使所述高压侧半导体元件的驱动停止,该高压侧短路保护电路的特征在于,具有:
过电流检测电路,其检测所述过电流,输出以所述浮动电位为基准的过电流检测信号;
短路检测电路,其基于所述过电流检测信号来检测短路,输出以所述浮动电位为基准的短路检测信号;
电平下降电路,其将以所述浮动电位为基准的短路检测信号转换为以低压侧的公共电位为基准的短路检测信号;以及
错误信号生成电路,其基于以公共电位为基准的所述短路检测信号,生成使所述高压侧半导体元件的驱动停止的错误信号。
5.根据权利要求4所述的高压侧短路保护电路,其特征在于,
该高压侧短路保护电路具有如下的预切断电路:在没有生成所述错误信号或没有因所述错误信号而停止所述高压侧半导体元件的驱动的情况下,所述预切断电路基于所述过电流检测信号,使所述高压侧半导体元件的驱动停止。
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