[发明专利]一种高K电介质硅晶片的抛光方法

摘要

本发明提供了一种高K电介质硅晶片的抛光方法，该方法应用于抛光硅晶片的器件结构，包括步骤：收入硅晶片，该硅晶片具有待抛光的器件结构面，其器件结构面至少包括金属层、阻挡层、介质层以及高K电介质；电化学抛光硅晶片的器件结构面，电化学抛光过程结束后，金属层仍有剩余；化学机械研磨器件结构面的剩余金属层，化学机械研磨过程结束后，剩余金属层和阻挡层被去除至露出介质层；清洗硅晶片并取出；其中，在电化学抛光过程中，对器件结构面未施加任何下压力，或者器件结构面所产生的形变应力在0.1psi以下。采用该方法能够对线宽在45nm以下的硅晶片进行抛光，且大大降低了划伤和粉碎硅晶片的风险，提升了良率和产率。

主权项

一种高K电介质硅晶片的抛光方法，该方法应用于抛光硅晶片的器件结构，其特征在于，包括步骤：收入硅晶片，该硅晶片具有待抛光的器件结构面，所述硅晶片的器件结构面至少包括金属层、阻挡层、介质层以及高K电介质，该介质层中具有栅极开口，该高K电介质位于该栅极开口底部，该阻挡层覆盖该介质层、栅极开口的侧壁以及高K电介质层、该金属层填充该栅极开口并覆盖该阻挡层；电化学抛光所述硅晶片的器件结构面，所述电化学抛光过程结束后，所述金属层仍有剩余；化学机械研磨所述器件结构面的剩余金属层，所述化学机械研磨过程结束后，所述剩余金属层和所述阻挡层被去除至露出所述介质层；清洗所述硅晶片并取出；其中，在所述电化学抛光过程中，对所述器件结构面未施加任何下压力，或者所述器件结构面所产生的形变应力在0.1psi以下。