[发明专利]图像传感器件的制造工艺在审
申请号: | 201510081916.9 | 申请日: | 2015-02-15 |
公开(公告)号: | CN104659048A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 黄双武;赖芳奇;王邦旭;吕军;刘辰 | 申请(专利权)人: | 苏州科阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 马明渡;王健 |
地址: | 215143 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开一种图像传感器件的制造工艺,包括图像传感芯片、印刷电路支撑板、透明盖板和PCB基板,所述印刷电路支撑板中心处具有镂空区,所述透明盖板覆盖于镂空区,所述图像传感芯片的上表面具有感光区;通过光刻显影方式在图像传感芯片上表面且在盲孔周边形成所述压力缓冲层,此压力缓冲层需要将铝焊垫和感光区暴露出来;通过磁控溅射机台在保护光刻材料层、盲孔和压力缓冲层上表面整面沉积形成整面钛铜层;通过光刻显影在整面钛铜层上形成掩膜层,从而定义出金属凸点和围坝的位置,采用电镀在金属凸区域生长一金属导电层。本发明支撑力比之前的工艺更好,金属焊点不会出现断裂现象,产品的抗热冲击以及水汽冲击表现效果更佳,大大降低线路传输距离,提高了模组的光学性能和并降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 制造 工艺 | ||
【主权项】:
一种图像传感器件的制造工艺,其特征在于:所述图像传感器件包括图像传感芯片(1)、印刷电路支撑板(2)、透明盖板(3)和PCB基板(4),所述印刷电路支撑板(2)中心处具有镂空区(5),所述透明盖板(3)覆盖于镂空区(5),所述图像传感芯片(1)的上表面具有感光区(6);位于所述印刷电路支撑板(2)内侧面中部具有凸起部(7),所述透明盖板(3)的周边区域与凸起部(7)接触,从而在透明盖板(3)和图像传感芯片(1)之间形成空腔(8);图像传感芯片(1)上表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔(9),所述图像传感芯片(1)的盲孔(9)底部具有铝焊垫(10),位于盲孔(6)内且在铝焊垫(10)上表面依次具有镍层(11)、保护金属层(12),位于所述图像传感芯片(1)上表面且在盲孔(9)周边具有压力缓冲层(13),所述盲孔(9)底部、侧表面和压力缓冲层上表面具有一钛铜层(14),所述盲孔(9)内填充有金属导电层(15),所述金属导电层(15)高度高于盲孔(9)深度并延伸至位于压力缓冲层(13)正上方的钛铜层(14)表面,从而使得金属导电层(15)上部覆盖位于压力缓冲层(13)正上方的钛铜层(14)部分区域,所述压力缓冲层(13)为显影后的光刻胶层;所述金属导电层(15)通过导电胶(16)与印刷电路支撑板(2)的凸起部(7)下表面电路电连接,所述图像传感芯片(1)位于凸起部(7)和PCB基板(4)之间,所述PCB基板(4)与印刷电路支撑板(2)底部通过导电胶(16)贴合电连接;所述图像传感器件通过以下制造工艺获得,此制造工艺包括以下步骤:步骤一、在所述压力缓冲层(13)形成之前通过光刻显影方式在感光区(6)表面覆盖一层易去除的像素保护光刻胶层(18);步骤二、通过光刻显影方式在图像传感芯片(1)上表面且在盲孔(9)周边形成所述压力缓冲层(13),此压力缓冲层(13)需要将铝焊垫(10)和感光区(6)暴露出来,此压力缓冲层(13)为绝缘材料;步骤三、通过磁控溅射机台在保护光刻材料层、盲孔(9)和压力缓冲层(13)上表面整面沉积形成整面钛铜层(19);步骤四、通过光刻显影在整面钛铜层(19)上形成掩膜层(20),从而定义出金属凸点和围坝的位置,采用电镀在金属凸区域生长一金属导电层(15);步骤五、去除步骤四的掩膜层形成作为金属凸点的金属导电层(15)和围坝后;步骤六、掩膜层已经去除,暴露出来整面钛铜层(19)部分区域,将裸露出的整面钛铜层(19)区域去除从而形成所述钛铜层(14)表面;步骤七、将像素保护光刻胶层(18)去除;步骤八、印刷电路支撑板(2)贴附透明盖板(3),步骤九、将所述图像传感芯片(1)的金属导电层(15)通过导电胶(16)与印刷电路支撑板(2)的凸起部(7)下表面电路电连接,使得图像传感芯片(1)位于凸起部(7)和PCB基板(4)之间;步骤十、将PCB基板(4)与印刷电路支撑板(2)底部通过导电胶(16)贴合电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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