[发明专利]一种镍掺杂的具有pn结结构的单晶硅材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种镍掺杂的具有pn结结构的单晶硅材料，包括有依次层叠设置的衬底和红外吸收层；所述衬底是p型单晶硅，所述红外吸收层是镍掺杂的n型硅中间带(Si：Ni)材料，其中镍的掺杂浓度是6×10¹⁹cm^-3～6×10²⁰cm^-3，所述红外吸收层与衬底之间形成p-n结。本发明的镍掺杂的具有pn结结构的单晶硅材料具有较强的红外吸收能力，在室温状态下具有较高的光电探测率，可广泛应用于光纤通讯、探伤、诊断、跟踪、导航等医疗、空间、军事、民用等领域的红外探测器的制作。本发明还提供了上述材料的制备方法。

主权项

一种镍掺杂的具有pn结结构的单晶硅材料，其特征在于包括有依次层叠设置的衬底和红外吸收层；所述衬底是p型单晶硅(Si)，所述红外吸收层是镍(Ni)掺杂的n型硅中间带(Si：Ni)材料，其中镍的掺杂浓度是6×10¹⁹cm^‑3～6×10²⁰cm^‑3，所述红外吸收层与衬底之间形成p‑n结。