[发明专利]具低电感配置内部负载和辅助连接装置的功率半导体模块有效

专利信息
申请号: 201510080384.7 申请日: 2015-02-13
公开(公告)号: CN104851879B 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: M·施庞;E·法勒;L·罗伊瑟 申请(专利权)人: 赛米控电子股份有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/49;H01L23/538
代理公司: 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 代理人: 韩国胜
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 提供一种功率半导体模块,包括实施为线式接合连接的内部负载连接装置和辅助连接装置。基片具有多个负载电势区域和辅助电势区域,其中功率开关安排在第一负载电势区域上,所述功率开关实施为串联安排的多个可控功率子开关。功率子开关具有负载接合连接,该负载接合连接由到第二负载电势区域的多个负载接合线构成,其中第一接合基部安排在该第二负载电势区域上并且对应的负载接合线的相邻的第二接合基部安排在该功率子开关的接触区域上。特别地,控制接合线使两个分配的辅助电势区域彼此电连接并且平行接合线是平行于所述控制接合线安排的,所述平行接合线仅电连接到负载电势区域中的一个负载电势区域。
搜索关键词: 电感 配置 内部 负载 辅助 连接 装置 功率 半导体 模块
【主权项】:
1.功率半导体模块(1),包括负载端子元件(10,12,14)和辅助端子元件(50,51,53,54),包括具有低电感配置的模块内部负载接合连接(9)和辅助连接装置(7),包括带有多个负载电势区域(20,22,24)和辅助电势区域(630,631)的基片(2),其中,功率开关(3,4)安排在第一负载电势区域(20,22)上,所述功率开关实施为多个可控功率子开关(30,32,34,36,40,42,44),这些可控功率子开关是串联安排的并且在各自情况下通过分配的负载接合连接(9)连接到第二负载电势区域(22,24),该分配的负载接合连接由多个平行安排的负载接合线(90,92,94,96)构成,其中第一接合基部(950)安排在该第二负载电势区域(22,24)上并且对应的负载接合线(90,92,94,96)的相邻的第二接合基部(951)安排在该功率子开关的接触区域上,其中a)控制接合线(70)使两个分配的辅助电势区域(630,631)彼此电连接并且平行接合线(80)与所述控制接合线(70)平行地安排,所述平行接合线仅电连接到负载电势区域(22)中的一个负载电势区域,并且可替代地或额外地b)串联的非居中安排的功率子开关(30,34)的多个分配的负载接合线(90,92,94,96)的对应的第一接合基部(950)是以朝向串联的功率子开关(30,32,34,36)的中心与分配的负载接合线(90,92,94,96)的直线路线偏置的方式安排的,所述直线路线垂直于对应的功率子开关(30,34)的边缘,并且可替代地或额外地c)该第二负载电势区域(22,24)具有电流方向(220,240)并且负载接合线(90,92,94,96)的从第一接合基部(950)到最近的第二接合基部(951)的那些接合线区段(900,920,940,960)的长度从一个功率子开关到在该电流方向(220,240)上相邻的功率子开关增大。
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