[发明专利]上面具有IIIA-N族外延层的机械稳固硅衬底在审
| 申请号： | 201510079453.2 | 申请日： | 2015-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104867811A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·路易斯·海登;托马斯·安东尼·麦克纳;里克·L·怀斯;萨米尔·彭德哈卡 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请案涉及一种上面具有IIIA-N族外延层的机械稳固硅衬底。一种形成外延物品的方法(100)包含使用柴可拉斯基(Czochralski)过程参数生长(101)具有3.2×1018/cm3的最小硼掺杂度的元素硅的晶体，所述柴可拉斯基过程参数包含小于(<)平均轴向温度梯度[G]的晶体生长速度(牵引速度)[V]。将所述晶体切割(102)为具有对准于<111>方向的表面的至少一个元素硅衬底；其中所述硅衬底中的空位/填隙的比率小于(<)1。在所述硅衬底的所述表面上生长(103)至少一个外延缓冲层，且在所述缓冲层上生长(104)至少一个外延IIIA-N族层。 | ||
| 搜索关键词： | 上面 具有 iiia 外延 机械 稳固 衬底 | ||
【主权项】：
一种形成外延物品的方法，其包括：使用柴可拉斯基过程参数生长具有3.2×1018/cm3的最小硼掺杂度的元素硅的晶体，所述柴可拉斯基过程参数包含小于(＜)平均轴向温度梯度[G]的晶体生长速度(牵引速度)[V]；将所述晶体切割为具有对准于<111>方向的表面的至少一个元素硅衬底；其中所述元素硅衬底中的空位/填隙的比率小于(<)1；在所述元素硅衬底的所述表面上生长至少一个外延缓冲层，及在所述缓冲层上生长至少一个外延IIIA‑N族层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
