[发明专利]一种苝酰亚胺薄膜的制备及其作为高密度快速信息存储材料的应用在审
申请号: | 201510071007.7 | 申请日: | 2015-02-10 |
公开(公告)号: | CN104716274A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 齐胜利;鲍林;田国峰;武德珍 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学常州先进材料研究院 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 213164 江苏省常州市武进区常武中路18号*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种苝酰亚胺薄膜的制备及其作为高密度快速信息存储材料的应用属于有机信息存储材料技术领域。本发明首先通过在苝湾位置二取代的苝四羧酸二酐与含有咔唑给电子单元单胺的酰亚胺化反应,制得了含有电子给体-受体结构的可溶性苝酰亚胺衍生物。然后,通过蒸汽扩散自组装法,依靠分子间的π-π堆积作用制得苝酰亚胺自组装膜。将该自组装膜用于信息存储器件的活性层,存储器件表现出了优异的电双稳态信息存储行为,其开关比在104以上,信号写入电压仅有0.8V,器件性能稳定且读取108次后未表现出任何信号衰减。此外,器件表现出了极快速的响应速度,对电压即时响应,无任何滞后,信号平衡时间达到30纳秒的水平,在高密度快速信息存储领域具有重要使用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 亚胺 薄膜 制备 及其 作为 高密度 快速 信息 存储 材料 应用 | ||
【主权项】:
一种苝酰亚胺薄膜的制备及其作为高密度快速信息存储材料的应用,其特征在于:苝酰亚胺薄膜的化学成分为含电子给‑受体结构的苝酰亚胺衍生物,苝酰亚胺薄膜是通过表面支持的溶液蒸汽扩散法在洁净的基片上形成的自组装膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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