[发明专利]一种MOCVD设备的喷淋头有效
申请号: | 201510062237.7 | 申请日: | 2015-02-05 |
公开(公告)号: | CN104630747B | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 王钢;李健;范冰丰;蔡健栋;吴飞飞 | 申请(专利权)人: | 佛山市中山大学研究院 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 广州圣理华知识产权代理有限公司44302 | 代理人: | 顿海舟,陈业胜 |
地址: | 528222 广东省佛*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种MOCVD设备的喷淋头,包括将Zn源直接送进反应腔的Zn源管道,观察器以及辅助气体入口,所述喷淋头内腔顶部设有将所述辅助气体入口送入的气体进行折流过滤的折流机构,折流机构下设有若干漏斗形的送气管,各条送气管之间还包括冷却水管道。本发明的喷淋头,解决现有技术的喷淋头,反应物过早地受热反应,造成滤网阻塞的问题,并从结构上改进送气管道系统,让气体输送到基片表面前气流均匀无湍流,减少寄生反应和高温寄生沉积,提高薄膜生产效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 mocvd 设备 喷淋 | ||
【主权项】:
一种MOCVD设备的喷淋头,包括将Zn源直接送进反应腔的Zn源管道,观察器以及辅助气体入口,其特征在于,所述喷淋头内腔顶部设有将所述辅助气体入口送入的气体进行折流过滤的折流机构,折流机构下设有若干漏斗形的送气管,各条送气管之间还包括冷却水管道;所述折流机构为设于喷淋头内腔顶部向内水平延伸的折流环,折流环表面设有若干连续的凸环。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市中山大学研究院,未经佛山市中山大学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510062237.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的