[发明专利]非挥发性阻变存储器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201510061926.6 | 申请日： | 2015-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105990520A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 刘琦;刘明;孙海涛;张科科;龙世兵;吕杭炳;瑞塔姆·白纳吉;张康玮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种非挥发性阻变存储器，包括惰性金属电极、阻变功能层、易氧化金属电极，其特征在于：惰性金属电极与阻变功能层之间插入石墨烯阻挡层，能够阻止器件编程过程中易氧化金属离子在电场作用下通过阻变功能层迁移进入惰性金属电极。依照本发明的非挥发性阻变存储器件及其制造方法，在惰性电极与固态电解液阻变功能层之间增加单层或多层石墨烯薄膜作为金属离子阻挡层，阻止RRAM器件编程过程中，阻变层中形成的金属导电细丝扩散进入惰性电极层，消除器件擦除过程中出现的误编程现象，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非挥发性阻变存储器，包括惰性金属电极、阻变功能层、易氧化金属电极，其特征在于：惰性金属电极与阻变功能层之间插入石墨烯阻挡层，能够阻止器件编程过程中易氧化金属离子在电场作用下通过阻变功能层迁移进入惰性金属电极。
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