[发明专利]一种压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510058554.1 | 申请日： | 2015-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN105987722B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 徐伟;刘国安 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01D21/02 | 分类号： | G01D21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请一种基于COMS电路的加速度压力传感器及其制备方法，涉及传感器制备领域，通过在ASIC衬底(设置有控制电路结构)上采用熔融键和工艺制备加速度计，再利用共晶键合工艺在上述加速度结构上继续制备压力传感器，最后采用深反应离子刻蚀工艺将上述的加速度计和压力传感器整合，进而形成垂直整合的压力传感器和加速度计结构，在大大降低芯片总体面积的同时，有效的提高了晶圆芯片的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种压力传感器，其特征在于，所述压力传感器包括：一设置有控制电路结构的ASIC衬底、基于该ASIC衬底上制备的加速度计和压力传感器；以及一连接结构；所述压力传感器通过所述连接结构垂直整合于所述加速度计上；所述ASIC衬底包括硅基底、第一金属层和第一介质层；所述第一介质层覆盖所述硅基底的上表面，所述第一金属层嵌入设置于所述第一介质层中，且该第一金属层的上表面暴露于所述第一介质层；所述压力传感器还包括第二介质层和硅片层；所述第一金属层上设置有连接区和腔室区；所述第二介质层覆盖所述第一介质层暴露的上表面和部分所述第一金属层的上表面，以将所述腔室区中的第一金属层暴露；所述硅片层覆盖所述第二介质层的上表面，且在位于所述腔室区上方形成有若干移动块。
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