[发明专利]一种光学传感器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201510054958.3 申请日: 2015-02-03
公开(公告)号: CN104659143A 公开(公告)日: 2015-05-27
发明(设计)人: 游镇宇;卓祯福;卓恩宗 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L31/09 分类号: H01L31/09;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供了一种光学传感器及其制造方法。该光学传感器包括:基板;控制元件,包括栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极和漏极电极;以及感光元件,包括下电极、SRO薄膜层和第一透明导电层。下电极藉由第一开口耦接至漏极电极。第一透明导电层藉由第二开口耦接至第二透明导电层。SRO薄膜层的制程步骤早于氧化物半导体层的制程步骤。相比于现有技术,本发明在制程上先形成SRO薄膜层,后形成氧化物半导体层,由于SRO薄膜沉积时所使用的氢气不会影响氧化物半导体层的元件特性,因而控制元件的阈值电压并不会出现负漂移。此外,SRO薄膜受到栅极绝缘层的保护,后续的低温制程也不会影响SRO薄膜的特性。
搜索关键词: 一种 光学 传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
一种光学传感器,其特征在于,所述光学传感器包括:一基板;一控制元件,设置于所述基板上,所述控制元件包括:一栅极电极,位于一第一金属层;一栅极绝缘层,位于所述第一金属层的上方;一氧化物半导体层,位于所述栅极绝缘层的上方;以及一源极电极和一漏极电极,位于一第二金属层,该源极电极与该漏极电极对应于所述氧化物半导体层设置;以及一感光元件,设置于所述基板上,所述感光元件包括:一下电极,位于所述第一金属层,所述下电极藉由一第一开口电性耦接至所述漏极电极;一SRO薄膜层,位于所述下电极的上方;以及一第一透明导电层,位于所述SRO薄膜层的上方,所述第一透明导电层藉由一第二开口耦接至一第二透明导电层,其中,所述SRO薄膜层的制程步骤早于所述氧化物半导体层的制程步骤。
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