[发明专利]一种光学传感器及其制造方法在审
申请号: | 201510054958.3 | 申请日: | 2015-02-03 |
公开(公告)号: | CN104659143A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 游镇宇;卓祯福;卓恩宗 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种光学传感器及其制造方法。该光学传感器包括:基板;控制元件,包括栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极和漏极电极;以及感光元件,包括下电极、SRO薄膜层和第一透明导电层。下电极藉由第一开口耦接至漏极电极。第一透明导电层藉由第二开口耦接至第二透明导电层。SRO薄膜层的制程步骤早于氧化物半导体层的制程步骤。相比于现有技术,本发明在制程上先形成SRO薄膜层,后形成氧化物半导体层,由于SRO薄膜沉积时所使用的氢气不会影响氧化物半导体层的元件特性,因而控制元件的阈值电压并不会出现负漂移。此外,SRO薄膜受到栅极绝缘层的保护,后续的低温制程也不会影响SRO薄膜的特性。 | ||
搜索关键词: | 一种 光学 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光学传感器,其特征在于,所述光学传感器包括:一基板;一控制元件,设置于所述基板上,所述控制元件包括:一栅极电极,位于一第一金属层;一栅极绝缘层,位于所述第一金属层的上方;一氧化物半导体层,位于所述栅极绝缘层的上方;以及一源极电极和一漏极电极,位于一第二金属层,该源极电极与该漏极电极对应于所述氧化物半导体层设置;以及一感光元件,设置于所述基板上,所述感光元件包括:一下电极,位于所述第一金属层,所述下电极藉由一第一开口电性耦接至所述漏极电极;一SRO薄膜层,位于所述下电极的上方;以及一第一透明导电层,位于所述SRO薄膜层的上方,所述第一透明导电层藉由一第二开口耦接至一第二透明导电层,其中,所述SRO薄膜层的制程步骤早于所述氧化物半导体层的制程步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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