[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成阻挡层；去除部分阻挡层，在阻挡层内形成露出衬底的第一开口；在第一开口内填充牺牲层材料；去除剩余阻挡层，形成牺牲层；去除牺牲层露出的部分衬底，在衬底内形成第二开口；在第二开口底部以及牺牲层上表面形成金属层；去除所述牺牲层。本发明在形成牺牲层之前，在所述衬底上形成阻挡层，在阻挡层内形成第一开口，在所述第一开口内填充牺牲层材料，以形成牺牲层，使位于边缘的牺牲层具有足够的厚度，避免了由于形成第二开口时所述牺牲层的损耗而露出所述衬底，减少了去除牺牲层后牺牲层边缘的膜层残余，提高了器件制造的良品率，降低了器件制造的成本。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成阻挡层；去除部分阻挡层，在所述阻挡层内形成露出衬底的第一开口；在所述第一开口内填充牺牲层材料；去除剩余阻挡层，形成牺牲层；去除牺牲层露出的部分衬底，在所述衬底内形成第二开口，以所述牺牲层为掩模，采用各向异性干法刻蚀形成所述第二开口，且形成所述第二开口的步骤之后，剩余的牺牲层厚度大于3μm；在所述第二开口底部以及所述剩余的牺牲层上表面形成金属层；去除所述牺牲层。