[发明专利]一种封装方法在审
申请号: | 201510052152.0 | 申请日: | 2015-01-30 |
公开(公告)号: | CN105990164A | 公开(公告)日: | 2016-10-05 |
发明(设计)人: | 贾云丛;殷华湘;袁烽;陈大鹏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人: | 党丽;韩晓莉 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种封装方法,包括提供第一芯片和第二芯片,第一芯片上形成有焊料柱阵列,第二芯片上形成有与第一芯片焊料柱阵列对应位置的焊接电极阵列;在焊料氧化物的还原性气体气氛中,进行加热工艺,使第一芯片上的焊料柱阵列熔化为球状,然后将第二芯片对准第一芯片并进行焊接。利用本发明的方法在芯片焊接过程中,可以保证金属焊料表面氧化物在焊接过程中被还原,并最终实现低阻封装连接的方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种封装方法,其特征在于,包括步骤:提供第一芯片和第二芯片,第一芯片上形成有焊料柱阵列,第二芯片上形成有与第一芯片焊料柱阵列相对应的焊接电极阵列;在焊料氧化物的还原性气体气氛中,进行加热工艺,使第一芯片上的焊料柱阵列熔化为球状,然后将第二芯片对准第一芯片并进行焊接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510052152.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造