[发明专利]互连结构及其形成方法

摘要

本发明提供了一种互连结构及其形成方法。所述形成方法包括：在所述绝缘层上依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层，所述第一介质层、第二介质层和第三介质层构成粘附层；在所述粘附层上形成低K介质层，所述第一介质层用于增加所述绝缘层与粘附层之间的粘附力，所述第二介质层用于增加所述第一介质层与第三介质层的粘附力；在所述粘附层上形成低K介质层，所述第三介质层用于增加所述低K介质层与粘附层之间的粘附力。与现有技术中低K介质层与绝缘层直接接触相比，本发明互连结构的形成方法提高了低K介质层与绝缘层之间的粘附力，提高了互连结构的性能。

主权项

1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层上依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层，所述第一介质层、第二介质层和第三介质层构成粘附层，所述第一介质层用于增加所述绝缘层与粘附层之间的粘附力，所述第二介质层用于增加所述第一介质层与第三介质层的粘附力；在所述粘附层上形成低K介质层，所述第三介质层用于增加所述低K介质层与粘附层之间的粘附力；对所述低K介质层、粘附层和绝缘层进行刻蚀，在所述低K介质层、粘附层和绝缘层中形成通孔，在所述通孔中形成导电插塞；其中，所述绝缘层的材料为掺氮的碳化物，在所述绝缘层上依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层的步骤包括：通入包括一氧化二氮和二乙氧基二甲基硅烷气体的第一反应气体，在所述绝缘层上形成掺氮的氧化硅以形成第一介质层；通入包括氧气和二乙氧基二甲基硅烷气体的第二反应气体，在所述第一介质层上形成氧化硅以形成第二介质层；通入包括二氧化碳和二乙氧基二甲基硅烷气体的第三反应气体，在所述第二介质层上形成掺碳的氧化硅以形成第三介质层。