[发明专利]低温多晶硅TFT基板结构

摘要

本发明提供一种低温多晶硅TFT基板结构，包括基板、多晶硅层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、及源/漏极；所述栅极绝缘层、及层间绝缘层上对应多晶硅层的上方设有第一过孔，所述层间绝缘层上对应栅极的上方设有第二过孔，所述源/漏极分别经由第一过孔、及第二过孔与多晶硅层、及栅极相接触，所述第一过孔、及第二过孔相互贯通构成过孔。本发明通过改进多晶硅层、栅极及过孔的平面布局结构，使本发明的低温多晶硅TFT基板结构在高像素密度的情况下，当制程中过孔发生漂移时，能够保证多晶硅层与源/漏极之间的接触面积不变或变化范围较小，从而改善由于过孔发生漂移而导致多晶硅层与源/漏极之间的接触阻抗发生变异的问题。

主权项

一种低温多晶硅TFT基板结构，其特征在于，包括基板(1)、形成于所述基板(1)上的多晶硅层(11)、形成于所述多晶硅层(11)上覆盖所述多晶硅层(11)与基板(1)的栅极绝缘层(2)、形成于所述栅极绝缘层(2)上的栅极(21)、形成于所述栅极(21)上覆盖所述栅极(21)与栅极绝缘层(2)的层间绝缘层(3)及形成于所述层间绝缘层(3)上的源/漏极(31)；所述栅极绝缘层(2)及层间绝缘层(3)上对应所述多晶硅层(11)的上方设有第一过孔(41)，所述层间绝缘层(3)上对应所述栅极(21)的上方设有第二过孔(42)，所述源/漏极(31)分别经由所述第一过孔(41)及第二过孔(42)与所述多晶硅层(11)及栅极(21)相接触；所述多晶硅层(11)和栅极(21)均为长方形结构，所述栅极(21)的垂直投影面积位于所述多晶硅层(11)的垂直投影面积内部，所述栅极(21)的宽度小于所述多晶硅层(11)的宽度，所述栅极(21)的长度小于或等于所述多晶硅层(11)的长度，所述第一过孔(41)及第二过孔(42)相互贯通构成过孔(40)，所述过孔(40)的垂直投影为一长方形，其位于所述多晶硅层(11)的垂直投影内部，所述过孔(40)的宽度大于所述栅极(21)的宽度且小于所述多晶硅层(11)的宽度，所述过孔(40)的长度小于所述多晶硅层(11)的长度且小于或等于所述栅极(21)的长度；所述第二过孔(42)的垂直投影面积为所述栅极(21)的垂直投影面积与所述过孔(40)的垂直投影面积相互重合的部分；所述第一过孔(41)的垂直投影面积为所述过孔(40)的垂直投影面积减掉所述第二过孔(42)的垂直投影面积。