[发明专利]低温多晶硅TFT基板结构

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种低温多晶硅TFT基板结构。

背景技术

平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)及有机电致发光显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)。薄膜晶体管(TFT)是平面显示装置的重要组成部分，低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)技术是新一代薄膜晶体管液晶显示器的制造技术，与传统非晶硅显示器的最大差异在于低温多晶硅显示器反应速度较快，且有高亮度、高解析度与低耗电量等优点。随着全球显示面板竞争日趋激烈，各大厂商对像素密度(High PPI,High Pixels Per Inch)的追求也越来越高，在某些领域所搭载的显示面板像素密度已高达538。对于平面显示装置的面板设计来说，更高的像素密度就意味着更小的子像素面积，在制程能力不变的情况下，电路有效布局的面积就越小，尤其是对于AMOLED显示面板，通常一个子像素里包含有2～7个TFT，这就对电路布局提出了更高的要求。

请参阅图1，为一种现有低像素密度低温多晶硅TFT基板结构的剖面示意图，该现有低像素密度低温多晶硅TFT基板结构包括基板100、形成于所述基板100上的多晶硅层110、形成于所述多晶硅层110上覆盖所述多晶硅层110与基板100的栅极绝缘层200、形成于所述栅极绝缘层200上的栅极210、形成于所述栅极210上覆盖所述栅极210与栅极绝缘层200的层间绝缘层300、及形成于所述层间绝缘层300上的源/漏极310。所述栅极绝缘层200、及层间绝缘层300上对应所述多晶硅层110的上方设有过孔410，所述层间绝缘层300上对应所述栅极210的上方设有过孔420，所述源/漏极310分别经由所述过孔410、及过孔420与所述多晶硅层110、及栅极210相接触。请参阅图2，为图1在水平面的垂直投影示意图，其中虚线部分外围为布线区域，当所述过孔410发生漂移时，所述多晶硅层110与所述源/漏极310的接触面积不变。

请参阅图3，为一种现有中像素密度低温多晶硅TFT基板结构的剖面示意图，为了提高像素密度，使过孔410、及过孔420相贯通构成过孔400。请参阅图4，为图3在水平面的垂直投影示意图，其中虚线部分外围为布线区域，当所述过孔400发生漂移时，所述多晶硅层110与所述源/漏极310的接触面积减小，最大减小比率约为30％，导致多晶硅层110与所述源/漏极310的接触阻抗发生变异，进而影响TFT基板的性能。

请参阅图5，为一种现有高像素密度低温多晶硅TFT基板结构的剖面示意图，为了提高像素密度，使过孔410、及过孔420相贯通构成过孔400。请参阅图6，为图5在水平面的垂直投影示意图，其中虚线部分外围为布线区域，所述过孔400的长度与宽度均为4.75μm，所述多晶硅层110与所述源/漏极310的接触面积为4.75×4.75/2＝11.28μm²。如图7所示，假设在制程过程中，所述过孔400沿图6中的箭头方向的最大漂移距离为1.25μm，此时所述多晶硅层110与所述源/漏极310的接触面积减小了4.75×1.25≈5.94μm²。过孔400发生漂移前后面积最大减小比率为5.94/11.28×100％≈53％，导致多晶硅层110与所述源/漏极310的接触阻抗发生较大变异，严重影响TFT基板的性能。

因此，有必要提供一种新的低温多晶硅TFT基板结构，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低温多晶硅TFT基板结构，在高像素密度的情况下，当制程中过孔发生漂移时，能够保证多晶硅层和源/漏极之间的接触面积不变或变化范围较小，从而改善由于过孔发生漂移而导致多晶硅层与源/漏极之间的接触阻抗发生变异的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种低温多晶硅TFT基板结构，包括基板、形成于所述基板上的多晶硅层、形成于所述多晶硅层上覆盖所述多晶硅层与基板的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的栅极、形成于所述栅极上覆盖所述栅极与栅极绝缘层的层间绝缘层、及形成于所述层间绝缘层上的源/漏极；

所述栅极绝缘层、及层间绝缘层上对应所述多晶硅层的上方设有第一过孔，所述层间绝缘层上对应所述栅极的上方设有第二过孔，所述源/漏极分别经由所述第一过孔、及第二过孔与所述多晶硅层、及栅极相接触；