[发明专利]鳍式场效应晶体管的掺杂方法

摘要

本发明的实施例包括鳍式场效应晶体管(fin field‑effect transistors,FinFET)的掺杂方法。在该方法中，形成一包含掺质的富掺质层(dopant‑rich layer)在基板的半导体鳍板(semiconductor fin)的顶表面及侧壁上。形成盖层以覆盖富掺质层。对基板进行回火以将掺质由富掺质层趋入半导体鳍板中。本发明的多种实施例可改善传统LDD工艺的缺点。例如，在不同实施例中形成富掺质层、形成盖层以及将杂质趋入LDD区以达所需厚度却不用顾虑阴影效应及PAI孪晶界缺陷的回火工艺。因此，可改善装置的电性。

主权项

一种掺杂鳍式场效应晶体管的方法，包括：提供一基板，该基板包括一第一装置区、一第二装置区、及一半导体鳍板形成于该基板的一表面上，其中该半导体鳍板具有一顶表面及侧壁且形成在该第二装置区中；形成硬掩模覆盖该第一装置区；沉积一包括掺质的富掺质层于该半导体鳍板的该顶表面及侧壁上，其中在该富掺质层中掺质的原子百分比大于90％，其中经由一机台形成该富掺质层，该机台包括一DC电源，该DC电源的输出偏压介于0kV至2kV之间；沉积一盖层在该富掺质层上，其中该盖层的厚度介于30埃至300埃之间，并且在温度低于300℃下沉积该盖层；以及该基板回火以将该掺质由该富掺质层趋入该半导体鳍板中，进行该回火时该半导体鳍板没有被该硬掩模覆盖，而该第一装置区被该硬掩模覆盖且没有该富掺质层。