[发明专利]一种半导体制冷片参数测试装置及多参数测量方法

摘要

本发明公开了一种半导体制冷片参数测量装置，包括散热风扇，铜散热器，样品固定夹具，固定导轨，滚珠丝杆，移动滑台，压力铝块，控制盒，温度测量模块，电压测量模块，压力检测模块、电机驱动模块、步进电机，所述铜散热器与所述样品固定夹具相连，所述移动滑台中安装有一用于移动滑台的滚珠丝杆，所述步进电机通过所述电机驱动模块驱动所述滚珠丝杠，所述压力铝块固定在与所述样品固定夹具相对的移动滑台侧面上，所述铜散热器与所述温度测量模块相连接，所述压力铝块与所述压力检测量模块相连接。由于采用全新的测量方法以及进行相应的结构设计，从而降低半导体装置的成本并测量多种参数。

主权项

一种半导体制冷片参数测试装置的多参数测量方法，其特征在于：所述测试装置包括散热风扇(1)，铜散热器(2)，样品固定夹具(3)，固定导轨(4)，滚珠丝杆(5)，移动滑台(6)，压力铝块(7)，温度测量模块(13)，电压测量模块(14)，还包括一压力测量模块(15)、电机驱动模块(16)、步进电机(10)，所述铜散热器(2)与所述样品固定夹具(3)相连，所述散热风扇(1)，样品固定夹具(3)安装于固定导轨(4)上，所述样品固定夹具(3)相对应的另一端安装有一移动滑台(6)，所述移动滑台(6)中安装有一用于移动滑台的滚珠丝杆(5)，所述步进电机(10)通过所述电机驱动模块(16)驱动所述滚珠丝杠(5)，所述压力铝块(7)固定在与所述样品固定夹具(3)相对的移动滑台(6)侧面上，所述铜散热器(2)与所述温度测量模块(13)相连接，所述压力铝块(7)与所述压力测量模块(15)相连接，所述电压测量模块(14)位于样品固定夹具(3)上；应用上述测试装置的多参数测量方法包括如下步骤：第一，将待测半导体制冷片固定于所述样品固定夹具(3)上，通过半导体制冷片驱动模块(17)驱动制冷片，通过所述电压测量模块(14)，得到制冷器两端的电阻电压VR和赛贝克电压Vs，所述温度测量模块(13)分别测量得到半导体制冷片冷端温度T和热端温度T0；第二，将上述所得参数VR、Vs和T代入到从而得到需要测量的优值系数Z；第三，通过电机驱动模块(16)驱动步进电机(10)，带动滚珠丝杠(5)，推动压力铝块(7)，从而对待测半导体制冷片施加不同压力，同时所述温度测量模块(13)分别测量得到半导体制冷片冷端温度T和热端温度T0，将采集的T，T0，与第二步测得的Z代入得到各个压力下的半导体制冷片的制冷效率ε；第四，测得半导体制冷片最大制冷效率下的冷端温度T和热端温度T0代入到计算公式从而得到单对温差电偶的工作电压V0，其中S为半导体制冷片材料的赛贝克系数；第五，将计算所得的单对温差电偶的工作电压V0和测得的总电压V＝VR+Vs代入到式从而获得温差电偶的对数N。