[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510034190.3 | 申请日： | 2015-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104810402B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 申宪宗;金成玟;金秉瑞;朴善钦;裵贤俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明构思提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：第一鳍区域；第二鳍区域；隔离绝缘层，使第一鳍区域与第二鳍区域隔离并具有岛形状；第一栅极，交叉第一鳍区域；第二栅极，交叉第二鳍区域；以及第三栅极，覆盖隔离绝缘层的侧壁和顶表面并交叉隔离绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：基板；从所述衬底的上表面垂直突出并在第一方向上延伸的鳍区域，所述鳍区域包括第一鳍区域和第二鳍区域，其在所述基板上在所述第一方向上彼此间隔开；第一隔离绝缘层，设置在所述第一鳍区域和所述第二鳍区域之间以使所述第一鳍区域与所述第二鳍区域隔离，所述第一隔离绝缘层的下表面接触所述鳍区域的一部分，所述第一隔离绝缘层包括平行于所述第一方向延伸且由所述鳍区域暴露的彼此相反的侧壁，并且具有岛形状；第一栅极，交叉所述第一鳍区域并在不同于所述第一方向的第二方向上延伸；第二栅极，交叉所述第二鳍区域并在所述第二方向上延伸；以及第三栅极，覆盖所述第一隔离绝缘层的所述彼此相反的侧壁并交叉所述第一隔离绝缘层，所述第三栅极在所述第二方向上延伸，其中所述第一、第二和第三栅极的每个包括栅极电介质层和栅极电极。
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