[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板；

从所述衬底的上表面垂直突出并在第一方向上延伸的鳍区域，所述鳍区域包括第一鳍区域和第二鳍区域，其在所述基板上在所述第一方向上彼此间隔开；

第一隔离绝缘层，设置在所述第一鳍区域和所述第二鳍区域之间以使所述第一鳍区域与所述第二鳍区域隔离，所述第一隔离绝缘层的下表面接触所述鳍区域的一部分，所述第一隔离绝缘层包括平行于所述第一方向延伸且由所述鳍区域暴露的彼此相反的侧壁，并且具有岛形状；

第一栅极，交叉所述第一鳍区域并在不同于所述第一方向的第二方向上延伸；

第二栅极，交叉所述第二鳍区域并在所述第二方向上延伸；以及

第三栅极，覆盖所述第一隔离绝缘层的所述彼此相反的侧壁并交叉所述第一隔离绝缘层，所述第三栅极在所述第二方向上延伸，

其中所述第一、第二和第三栅极的每个包括栅极电介质层和栅极电极。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一源极/漏极区，提供为邻近所述第一栅极的两个侧壁；和

第二源极/漏极区，提供为邻近所述第二栅极的两个侧壁。

3.如权利要求2所述的半导体器件，还包括：

第三鳍区域，设置在所述第一隔离绝缘层下面并连接到所述基板；和

穿通停止层，形成在所述第三鳍区域中，

其中所述穿通停止层包括导电类型不同于所述第一和第二源极/漏极区的导电类型的掺杂剂。

4.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二隔离绝缘层，在所述第二方向上与所述第一和第二鳍区域的侧壁接触并在所述第一方向上延伸。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述第三栅极交叉所述第二隔离绝缘层，并且

其中设置在所述第二隔离绝缘层上的所述第三栅极的底表面低于所述第二隔离绝缘层的顶表面。

6.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述第一隔离绝缘层具有U形横截面，并且

其中所述第一隔离绝缘层与所述第一和第二鳍区域的侧壁接触。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一隔离绝缘层包括：具有U形横截面的氧化物层；以及设置在所述氧化物层上的填充绝缘层。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述基板包括：半导体层以及设置在所述半导体层上的第二隔离绝缘层。

9.一种半导体器件，包括：

基板；

鳍区域，从所述基板的上表面垂直突出，包括在第一方向上彼此间隔开的第一鳍区域和第二鳍区域，所述鳍区域在所述第一方向上延伸；

第一栅极，在不同于所述第一方向的第二方向上交叉所述第一鳍区域；

第二栅极，在所述第二方向上交叉所述第二鳍区域；

第一隔离绝缘层，具有形成在凹陷区的侧壁上的内衬形状，该凹陷区提供于所述第一栅极和所述第二栅极之间的所述鳍区域中，其中所述第一隔离绝缘层的下表面接触所述鳍区域的限定所述凹陷区的下表面的部分，并且包括平行于所述第一方向延伸的彼此相反的侧壁；以及

第三栅极，覆盖所述第一隔离绝缘层的所述彼此相反的侧壁并在所述第二方向上延伸，

其中所述第一、第二和第三栅极的每个包括栅极电介质层和栅极电极。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述第一隔离绝缘层包括：形成在所述凹陷区的侧壁和底表面上的氧化物层，所述氧化物层具有U形横截面。

11.如权利要求9所述的半导体器件，还包括：

第二隔离绝缘层，在所述第二方向上接触所述第一鳍区域的侧壁和所述第二鳍区域的侧壁，并在所述第一方向上延伸，

其中设置在所述第一隔离绝缘层上的所述第三栅极的底表面低于所述第二隔离绝缘层的顶表面。