[发明专利]一种存储器装置及提供该存储器装置的方法有效
申请号: | 201510033933.5 | 申请日: | 2015-01-23 |
公开(公告)号: | CN104966717B | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 龙翔澜;吴昭谊;简维志 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种存储器装置及提供该存储器装置的方法。该存储器装置包括第一组存储单元以及第二组存储单元,第一组存储单元与第二组存储单元具有存储器元件以及位于第一与第二组存储单元上的第一与第二覆盖材料。第一与第二覆盖材料包括较低与较高密度的氮化硅。存储器元件包括可编程电阻存储器材料,而覆盖材料接触存储器元件。第一与第二组存储单元具有共同的存储单元结构。第一组存储单元的第一存储单元包括顶电极与底电极,而第一覆盖材料接触存储器材料。控制电路应用不同的写入算法至第一与第二组存储单元。通过使用不同的覆盖材料形成第一与第二覆盖层,第一与第二组存储单元具有不同的操作存储器特性,但具有相同的存储单元结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 存储器 装置 提供 方法 | ||
【主权项】:
一种存储器装置,包括:一第一组存储单元以及一第一覆盖材料,该第一覆盖材料位于该第一组存储单元上;一第二组存储单元以及一第二覆盖材料,该第二覆盖材料位于该第二组存储单元上;以及该第一覆盖材料不同于该第二覆盖材料;其中该第一组存储单元的多个存储单元具有一存储单元结构,且该第二组存储单元的多个存储单元具有共同的一存储单元结构;该第一组存储单元以及该第二组存储单元中的这些存储单元具有多个存储器元件,这些存储器元件包括相变化材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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