[发明专利]一种高纯有机硅单体的制备方法有效
| 申请号： | 201510033653.4 | 申请日： | 2015-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN104558015B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 房强;金凯凯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海有机化学研究所 |
| 主分类号： | C07F7/21 | 分类号： | C07F7/21;C07F7/20;C07F7/18 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司31266 | 代理人： | 崔佳佳,马莉华 |
| 地址： | 200032 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高纯有机硅单体的制备方法，具体地，本发明用工业有机硅单体通过多重精馏、膜过滤、多重亚沸蒸馏等步骤，制得电子级高纯有机硅单体。本发明方法工艺操作简单、安全性高、制得的有机硅单体纯度大于99.99％，单一金属离子杂质含量小于0.1ppb，大于等于0.5μm固体颗粒小于5个/ml，且产品质量稳定，能满足极大规模集成电路的制备需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 有机硅 单体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯有机硅单体的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤：⑴、使工业有机硅单体通过多重精馏塔，从而对其进行多重精馏，得到第一纯化有机硅单体；⑵、使所述的第一纯化有机硅单体通过第一膜过滤器，从而进行粗滤，得到第二纯化有机硅单体；⑶、使所述的第二纯化有机硅单体进入多重亚沸蒸馏器，对其进行多重亚沸蒸馏，并收集馏分，得到第三纯化有机硅单体；⑷、使所述的第三纯化有机硅单体通过第二膜过滤器进行过滤，得到产物高纯有机硅单体。
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