[发明专利]一种具有提高的防硫化性能的LED元件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510024319.2 申请日: 2015-01-16
公开(公告)号: CN104576901B 公开(公告)日: 2017-12-12
发明(设计)人: 张宗波;徐彩虹;罗永明;李永明 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: H01L33/56 分类号: H01L33/56;H01L33/48
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)11535 代理人: 刘元霞
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种在银基板表面施加基于聚硅氮烷材料的涂层提高LED元件防硫化性能的方法。该方法以耐温性、成膜性优异的聚硅氮烷为主体,辅助催化剂、溶剂,经过滴涂、固化后得到附着力高、透明性佳的阻隔涂层,所涂覆LED元件再经有机硅封装胶封装,防硫化效果明显改善。该方法不改变封装胶的性能,工艺简单,适合大面积使用,具有重要推广价值。
搜索关键词: 一种 具有 提高 硫化 性能 led 元件 及其 制备 方法
【主权项】:
一种LED元件,其包括银基板,其特征在于,所述银基板上包括一层基于聚硅氮烷材料的涂层;所述聚硅氮烷为具有下述式(1)所示重复单元的聚硅氮烷或其两种以上的混合物:其中,R1和R2彼此独立地相同或不同,分别地选自‑H、C1‑C4烷基、‑CH=CH2、‑C6H5和‑NH2;所述聚硅氮烷或其混合物中下述重复单元(a)的摩尔百分含量为10‑80%:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院化学研究所,未经中国科学院化学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510024319.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top