[发明专利]一种具有提高的防硫化性能的LED元件及其制备方法

权利要求书

1.一种LED元件，其包括银基板，其特征在于，所述银基板上包括一层基于聚硅氮烷材料的涂层；

所述聚硅氮烷为具有下述式(1)所示重复单元的聚硅氮烷或其两种以上的混合物：

其中，R₁和R₂彼此独立地相同或不同，分别地选自-H、C1-C4烷基、-CH＝CH₂、-C₆H₅和-NH₂；

所述聚硅氮烷或其混合物中下述重复单元(a)的摩尔百分含量为10-80％：

2.根据权利要求1所述的LED元件，其特征在于，所述LED元件在形成所述基于聚硅氮烷材料的涂层之后再进行封装。

3.根据权利要求1所述的LED元件，其特征在于，所述C1-C4烷基为C1-C4直链烷基。

4.根据权利要求3所述的LED元件，其特征在于，所述C1-C4烷基为-CH₃、-CH₂CH₃或-CH₂CH₂CH₃。

5.根据权利要求1所述的LED元件，其特征在于，所述重复单元的个数为3-3000之间的整数。

6.根据权利要求5所述的LED元件，其特征在于，所述重复单元的个数为10-2000之间的整数。

7.根据权利要求1所述的LED元件，其特征在于，所述聚硅氮烷或其混合物中重复单元(a)的摩尔百分含量为20-70％。

8.根据权利要求7所述的LED元件，其特征在于，所述聚硅氮烷或其混合物中重复单元(a)的摩尔百分含量为30-60％。

9.根据权利要求8所述的LED元件，其特征在于，所述聚硅氮烷或其混合物中重复单元(a)的摩尔百分含量为40-50％。

10.根据权利要求1所述的LED元件，其特征在于，所述涂层通过如下方法制备：

所述方法包括聚硅氮烷溶液的配置、滴涂步骤和固化步骤；

所述聚硅氮烷溶液包括上述的聚硅氮烷、催化剂和溶剂。

11.权利要求1所述的LED元件的制备方法，其包括在LED元件进行封装之前在银基板上施加一层基于聚硅氮烷材料的涂层的步骤，

所述聚硅氮烷为具有下述式(1)所示重复单元的聚硅氮烷或其两种以上的混合物：

其中，R₁和R₂彼此独立地相同或不同，分别地选自-H、C1-C4烷基、-CH＝CH₂、-C₆H₅和-NH₂；

所述聚硅氮烷或其混合物中下述重复单元(a)的摩尔百分含量为10-80％：

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述聚硅氮烷的合成采用氯硅烷氨解方法。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述氯硅烷包括二氯二氢硅烷、二甲基二氯硅烷、甲基乙烯基二氯硅烷或甲基氢二氯硅烷。

14.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述氨解主要是指通过氨气或者液氨与氯硅烷进行反应。

15.根据权利要求11-14任一项所述的制备方法，其特征在于，所述施加涂层的方法包括以下步骤：

聚硅氮烷溶液的配置、滴涂步骤和固化步骤；

所述聚硅氮烷溶液包括上述的聚硅氮烷、催化剂和溶剂。

16.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述溶液由以下质量百分比的组分组成：

上述的聚硅氮烷：0.1-10％；

催化剂：0-1％；

溶剂：89％-99.9％。

17.根据权利要求16所述的制备方法，其特征在于，所述催化剂选自胺类催化剂或金属类催化剂。